析 ASIC 设计标准单元，说明 6T/9T/12T 高度含义，阐述其布局、性能面积权衡及应用

2025/09/22 更新 分类：科研开发 分享

详解 IC 设计标准单元库，含其特点、类型、选择标准及核心单元，助简化开发.

2025/09/22 更新 分类：科研开发 分享

与体硅 CMOS 相比，FinFET 器件在抑制短沟道效应、降低能耗、提升电源电压可扩展性以及提高导通/关断电流比方面均表现更优。

2025/08/24 更新 分类：科研开发 分享