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多晶硅检测标准 多晶硅检测方法 多晶硅检测机构

嘉峪检测网        2018-02-09 16:23

多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽,密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。

 

标准编号 标准名称 实施日期
GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 2018/7/1
GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅 2018/5/1
GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 2017/11/1
GB/T 32652-2016 多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料 2016/11/1
GB/T 12963-2014 电子级多晶硅 2015/9/1
GB 29447-2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额 2013/10/1
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 2013/10/1
GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块 2013/10/1
GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片 2013/10/1
GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅 2011/4/1
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 2010/6/1
GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 2010/6/1
JC/T 2349-2015 多晶硅生产用氮化硅陶瓷绝缘体 2016/1/1
JC/T 2067-2011 太阳能多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚 2012/7/1
YS/T 1195-2017 多晶硅副产品 四氯化硅 2018/1/1
YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉 2017/1/1
YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯 2015/10/1
YS/T 983-2014 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法 2015/4/1
DB53/T 747-2016 多晶硅生产回收氢气中氯化氢含量的测定 气相色谱法 2016/6/1
DB53/T 618-2014 气相色谱法测定多晶硅生产中氢化尾气 组分含量 2014/12/1
DB53/T 499-2013 多晶硅用三氯氢硅 2013/10/1
DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法 2013/10/1
DB53/T 500-2013 多晶硅用三氯氢硅组分含量测定 气相色谱法 2013/10/1
DB15/T 1239-2017 多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 2017/12/10
DB15/T 1241-2017 硅烷法生产多晶硅尾气中硅烷含量的测定 气相色谱法 2017/12/10
DB65/T 3486-2013 太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法 2013/12/1
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法 2013/12/1

 

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来源:嘉峪检测网