案例问题描述：产品曲线回扫异常

某批次产品在终端应用中出现曲线回扫现象，具体表现为回扫描幅度过大，而常规的IR（漏电流）测试结果却显示正常。这一异常现象对产品性能造成了潜在影响，导致ESD二极管能通过出厂测试但在客户某些使用场景下表现异常。

证据与分析

为了全面了解回扫异常的根源，我们对受影响的产品进行了详细的证据收集和分析。首先，我们确认了加工记录，未发现明显的异常。随后，对异常样品进行测试，发现其中部分芯片确实存在回扫现象，且程度不一。

我们对正常和异常样品进行了表面金属和氧化层去除处理，并进行了染色观察。初步检查未发现晶格缺陷。然而，在铬酸腐蚀后，异常样品显示出明显的异常区域。进一步的断面研磨观察显示，Trench槽结构正常，但在埋层位置发现一段不明显的区域，这为后续的根本原因分析提供了重要线索。

电学特性分析

为了更深入地理解异常，我们进行了第二次电学特性分析，重点关注电性曲线和Cj（结电容）表现。通过对比异常芯片和正常芯片在不同电压下的1MHz电容，我们发现异常芯片在某个方向上存在电容增加的趋势。这与衬底P+在高温下推向表面P+结，导致N-外延到表面P+结过渡位置变淡，进而引起电容变化的机理相符。

根本原因

经过全面的分析，我们确定了产品曲线回扫异常的根本原因：加工过程中的偶发颗粒异常导致埋层注入不充分。从结构上看，埋层（BL）的缺失使得二极管的反向特性增强，进而引起PNP管的触发电压偏大，最终导致了明显的回扫现象。

预防措施与持续改进

针对上述根本原因，我们立即采取了一系列预防措施，并建立了持续改进机制：

1、在线颗粒改善专题：持续推进在线颗粒改善专题，定期对注入机台的环境颗粒水平进行监控和提升。通过对注入机腔体、传片台、操作台环境以及设备人员维修保养工具使用等环节进行排查和改进，有效控制了颗粒来源。例如，在操作区与灰区隔离的NV20操作门处增加悬挂门帘，并在设备保养和腔内清洁后进行颗粒度测试，确保颗粒水平符合标准。

2、优化测试筛选方案：我们建议FT（最终测试）部门对回扫大的样品在1uA或100uA电流下进行测试，以确认合适的筛选剔除方案。