案例背景

故障场景：该MOS，在ECU生产过程中，通电测试，该MOS均正常。在客户生产过程中，通电测试，测试后出现异常，故障件拆件分析后，GS阻抗为70ohm。

分析过程
外观检查

对取板样品外观检查；

发现#NG外观存在刮伤、沾锡、沾污。

X-ray

为确认失效MOS管内部结构，封装是否存在明显缺陷，利用X-ray对其进行无损分析。

X-ray结果显示：X-RAY显示目标MOS管内部未见明显异常。

SAT利用超声扫描对样品内部结构进行观察，检查是否存在异常；结果显示：未见明显异常特征。

电性IV检查

为确认异常现象MOS管电性情况，对MOS管D-S、G-S分别上电；

测试结果显示：#NG样品D-S、G-S short。

Decap为确认异常现象MOS管内部是否存在异常，对MOS管进行开封取die观察；观察结果显示：MOS芯片表面未发现异常现象。

定位分析前面分析可知：芯片表面观察未发现异常现象，为确认样品短路原因对样品做热点定位。观察结果显示：#NG终端存在热点。

深度解析FIB对异常样品#NG发现的热点进行FIB切片分析，观察热点下层是否存在异常。测试结果显示：在芯片终端发现crack。

综合分析

MOS管在上板测试发现极间阻抗异常：（1）外观检查未发现失效的MOS管存在裂纹、破损等异常，未发现焊接存在开裂痕迹；（2）X-ray检查、超声扫描等无损分析未发现失效MOS管内部明显异常，IV测试发现异常品存在极间短路；（3）开封取die后，芯片表面未见明显失效特征；（4）为确定短路异常发生位置，对异常样品做热点定位，发现终端存在热点。（5）对热点位置进行FIB切片，在边缘发现crack，通过侧面观察发现侧面划片道存在开裂；

综合分析：MOS管失效原因就是封装划片过程中，划片崩裂芯片边缘，在后续老化测试过程中加剧裂纹生长，蔓延至芯片内部，造成极间短路