在半导体器件研发与制造领域，失效分析已成为不可或缺的环节，FIB（聚焦离子束）截面分析，作为失效分析的利器，在微观世界里大显身手。它运用离子束精准切割样品，巧妙结合电子束成像技术，实现对样品内部结构的高分辨率观察，尤其擅长处理微小、复杂的器件结构。
截面分析是失效分析中的一种重要方法，而使用双束聚焦离子束 - 扫描电镜（FIB-SEM）则是截面分析的主要加工方式之一。FIB 技术将离子束切割与电子束成像相结合，能够实现精准定位，并以高度可控的方式对样品的不同区域进行截面切割。金鉴实验室拥有专业的FIB测试设备和技术团队，能够确保测试的准确性和可靠性，如需进行专业的检测，可联系金鉴检测顾问188-1409-6302。
使用FIB做截面分析基本有以下步骤：
1.准备样品
样品制备是截面分析的基础环节，其目的是为后续的分析提供合适且高质量的样品。样品制备一般包括裁切样品尺寸、使样品表面平整无起伏、导电处理（如喷金、喷碳等）、装载固定在样品台等。
聚焦离子束技术（FIB）注意事项：
（1）样品大小5×5×1cm，当样品过大需切割取样；
（2）样品需导电，不导电样品必须能喷金增加导电性；
（3）切割深度必须小于10微米。
2.位置确认
将预处理后的样品置于 FIB 设备中，利用电子束扫描观察样品表面形貌，确定截面切割位置。在目标区域表面沉积保护层，以减少切割过程中对样品表面的离子损伤。金鉴实验室在进行试验时，严格遵循相关标准操作，确保每一个测试环节都精准无误地符合标准要求。
3.离子切割
使用聚焦离子束对样品表面进行切割，先挖开样品表面以暴露出截面区域，然后对截面部分进行精修。精修的目的是使截面平滑，使形貌细节更加清晰明显，以便后续的观察和分析。在离子切割过程中，需要精确控制离子束的参数，如离子束电流、加速电压等，以实现对截面的精确加工。金鉴实验室在FIB测试方面具有丰富的经验，实验室拥有一支由国家级人才工程入选者和资深技术专家组成的团队，能够针对不同的样品提供具体的解决方案。
4.截面分析
对材料截面进行多种表征分析，以获取丰富的信息：
（1）表征截面结构形貌 ：通过电子束成像技术，对截面的微观结构进行观察和分析，了解样品内部的组织结构、缺陷分布等情况。（2）测量各层尺寸厚度 ：利用 FIB 设备的高精度测量功能，对截面中各层的尺寸和厚度进行精确测量，为评估材料的制备工艺和性能提供数据支持。
（3）能谱测试成分信息 ：结合能谱分析技术（EDS），对截面进行成分分析，确定不同区域的元素组成和含量，从而了解材料的成分分布情况，为研究材料的性能和失效机理提供重要的依据。
