当同步整流MOSFET电路的输出对地短路时，电路进入了一种非常态的工作模式。在这种情况下，振荡通常会更加剧烈，因为功率回路中的电流、电压变化率（di/dt、dV/dt）达到了极端值。
那短路状态下SW节点振荡的机理是怎么样的呢？
在正常工作模式下，电感电流在死区时间内会流过下管，同步整流MOSFET的体二极管。当短路发生时，这个过程被放大，其影响也更加恶劣。
我们来分解一下这个过程：
1．输出短路：当输出端对地短路时，输出电压Vout几乎为0V。这意味着电感两端的电压差VL=Vsw - Vout ≈ Vsw。
2.上管导通时：上管导通，SW节点电压被拉到接近输入电压Vin。由于Vout为0，电感两端电压为Vin，电感电流呈线性上升趋势，且上升速度非常快(di/dt=Vin/L)。
3.上管关断时,也就是振荡发生时刻：
电感电流突然被切断：上管关断，试图切断电感电流。由于电感的阻碍，电流不能瞬间为零，它会寻找新的通路。此时，电感电流会流过同步整流MOSFET的体二极管。接着体二极管发生反向恢复，这是问题的核心！在正常工作时，体二极管导通的电流相对较小。但在短路状态下，电感电流已经上升到了一个极高值。当体二极管导通后，控制器会驱动同步整流MOSFET导通。为了关断体二极管，它会产生一个巨大的反向恢复电流。这个反向恢复电流是尖峰电压和振荡的直接激励源。
这个巨大的反向恢复电流会流过功率回路中的各种寄生电感，比如MOSFET引脚电感、PCB走线电感。根据V=L·di/dt的关系，这个极大的di/dt会在寄生电感上感应出非常高的电压尖峰。这个电压尖峰与寄生电容，如下管的Coss，起形成一个高频、高能量的LC振荡回路。
如何优化这个问题呢?
极致地减小功率回路面积，将输入电容、上管、下管之间的连接走线做到最短、最宽，以最大限度地减小寄生电感，这是解决所有高速开关振荡问题的首要且最重要的手段。
增加Snubber缓冲电路，在SW节点和地之间并联一个RC缓冲电路。在短路这种极端情况下，缓冲电路可以吸收振荡能量，显著降低振荡峰值电压。虽然会增加损耗，但在保护MOSFET方面非常有效。需要根据短路时观察到的振荡频率来选择合适的R和C值，以达到最佳的阻尼效果。
