近日，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane,PTeO）的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。

2025/07/25 更新 分类：科研开发 分享

由imec和ASML组成的imec-ASML 联合High NA实验室在开发图案化和蚀刻工艺、筛选新的光刻胶和底层材料、改进计量和光掩模技术方面取得了进展。

2022/05/12 更新 分类：科研开发 分享

本文主要介绍了光刻胶材料于技术研究进展和光刻胶主要生产国家和地区概况

2021/07/09 更新 分类：行业研究 分享

光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。

2020/10/28 更新 分类：科研开发 分享

当然，在当前国际政治地缘下，中国半导体产业也面临着原材料供应链的不稳定性和价格上涨的风险。未来，中国光刻胶国产化之路，既面临较高的技术门槛，又有国产化带来的机遇。

2023/12/12 更新 分类：行业研究 分享

本文回顾了不同光刻胶体系的基本组分、作用原理与技术特点，在此基础上分析了下一代光刻技术，特别是大分子自组装和极紫外光刻的技术特点及其对相关材料的挑战。

2020/07/06 更新 分类：科研开发 分享

近日，日本半导体行业正在迎来一个重要的里程碑，Rapidus公司成为日本首家获得极紫外(EUV)光刻设备的半导体公司。

2024/12/23 更新 分类：科研开发 分享

清华大学和浙江大学合作展示了一种极其灵敏的氧化锆杂化-(2,4-双(三氯甲基)6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三嗪)(ZrO2-BTMST)光刻胶系统，可以实现7.77 m s–1的印刷速度，比传统聚合物光刻胶快三到五个数量级。

2023/10/03 更新 分类：科研开发 分享

华中科技大学研发的T150A光刻胶系列产品已通过半导体工艺量产验证，实现了原材料全部国产配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面

2024/11/30 更新 分类：科研开发 分享

本文讨论了一种具有简化照明系统的简单、低成本、高效率的双镜片物镜系统。

2024/08/05 更新 分类：科研开发 分享