您当前的位置:首页 > 场效应管IGBT
检测项:集电极-发射极电压VCES 检测样品:绝缘栅双极晶体管 标准:GB/T29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:零栅压时的漏极电流IDSS 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:发射极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项:集电极—发射极维持电压 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地:江苏省扬州市