北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：电流传输比hF (ctr) 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：输入失调电流IIO 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

检测项：电源电流Is 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京无线电计量测试研究所

检测项：壳体电流传导敏感度(CS09) 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997

检测项：壳体电流传导敏感度(CS109) 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-1997 设备和分系统电磁干扰特性

检测项：供电系统及所连设备谐波、电压波动和闪烁 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A ）

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所电磁兼容实验室

检测项：50Hz-100 kHz壳体电流传导敏感度 CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：只测交流设备

检测项：50Hz-100 kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-1997 设备和分系统电磁干扰特性控制要求

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：电子、电气产品 标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB17625.2-2007

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

中国舰船研究设计中心检测校准实验室

检测项：50Hz～100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：《舰船电磁兼容性要求》 HJB 34A-2007

检测项：50Hz~100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：①GJB152-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 ②GJB151-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》

检测项：50Hz~100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：①GJB152-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 ②GJB151-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：输入高电平电流IIH 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：输入失调电流IIO 检测样品：电压比较器 标准：GB/T 6798－1996《半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：电源电流IDD 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003

检测项：电源电流 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 》

检测项：输入失调电流 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>