绝缘栅双极晶体管(IGBT)中集电极截止电流的检测

检测项：集电极截止电流 检测样品：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 标准：GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

晶体三极管中集电极--发射极饱和电压VCES的检测

检测项：集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品：晶体三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1996

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极－发射极暗电流或集电极－基极暗电流（适用时） ICBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：集电极－发射极饱和电压或集电极－基极电压（适用时） VCEsat 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：集电极－发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：混合集成电路 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：混合集成电路 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：集电极--基极截止电流ICBO 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>