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检测项:集电极电流偏转系数 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
检测项:集电极电流 倍率 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
检测项:集电极电流偏转系数 检测样品:模拟示波器 标准:GB/T 6585-1996 《 阴极射线示波器通用规范 》
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品:DC/DC变换器 标准:SJ 20646-1997《混合集成电路DC/DC变换器测试方法》
检测项:集电极-发射极维持电压Vceo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:集电极-基极击穿电压Vcbo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极截止电流Icbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--基极截止电流ICBO 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:集电极-基极截止电流ICBO 检测样品:晶体 三极管 标准:《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极截止电流ICBO 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极 截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市 更多相关信息>>