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检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极截止电流Icbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--基极截止电流ICBO 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:集电极-基极截止电流ICBO 检测样品:晶体 三极管 标准:《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-97
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:混合集成电路 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:晶体管电特性测试 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:电阻器 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章3条
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:耦合器 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>