惠州海格电气有限公司实验室

检测项：验证冲击电压产生的浪涌电流作用下RCCB的性能 检测样品：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断 路器（RCCB） 标准：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCCB）第1部分：一般规则 GB 16916.1-2003 IEC 61008-1:2012

检测项：验证冲击电压产生的浪涌电流作用下RCBO的性能 检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 标准：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 第1部分：一般规则 GB 16917.1-2003 IEC 61009-1:2012

检测项：验证三极或四极RCBO通以单相负载时过电流的极限值 检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 标准：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 第1部分：一般规则 GB 16917.1-2003 IEC 61009-1:2012

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

北京无线电计量测试研究所

检测项：浪涌抗扰度 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T17626.5-2008/ IEC-61000-4-5：2005

检测项：耐电压浪涌、瞬变特性 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：飞机供电特性 GJB181A-2003

检测项：驻波比 检测样品：电流探头校准夹具 标准：电流探头校准夹具驻波比测量方法 Q/Fx537-2004

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

华为技术有限公司可靠性实验室

检测项：浪涌抗扰度 检测样品：信息技术设备,通信设备 (EMC) 标准：ITU-T k.20:2011:干扰保护安装在电信中心电信设备过电流、过电压的耐受性

检测项：浪涌抗扰度 检测样品：信息技术设备,通信设备 (EMC) 标准：EN 61000-6-1:2007通用标准：居民，商业，轻工业环境的抗扰度

检测项：浪涌抗扰度 检测样品：信息技术设备,通信设备 (EMC) 标准：EN 61000-6-1:2007通用标准：居民，商业，轻工业环境的抗扰度

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

华南国家计量测试中心/广东省计量科学研究院

检测项：浪涌（冲击）抗扰度试验 检测样品：额定电流不大于16A的电子、电气设备 (EMC) 标准：GB/T 17626.5-2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验

检测项：浪涌（冲击）抗扰度试验 检测样品：额定电流不大于16A的电子、电气设备 (EMC) 标准：GB/T 17626.5-2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验

检测项：电磁兼容性 检测样品：通过式金属探测门 标准：GB 15210-2003通过式金属探测门通用技术规范 MH 7012-2004 民用航空通过式金属探测门

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

蒂森克虏伯电梯（上海）有限公司中国实验室

检测项：浪涌冲击试验 检测样品：电子设备用机电元件 标准：电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T 17626.5-2008

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所电磁兼容与天线测量实验室

检测项：浪涌（冲击）抗扰度 检测样品：电气和电子设备 标准：GB/T 17626.5-2008 电磁兼容试验和测量技术—浪涌（冲击）抗扰度试验

检测项：CS109 50Hz～100kHz壳体电流传导敏感度 检测样品：军用设备和分系统 标准：GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB 152A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量

检测项：电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测样品：电气和电子设备 标准：GB/T 17626.4-2008 电磁兼容试验和测量技术—电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

四川出入境检验检疫局检验检疫技术中心

检测项：部分参数 检测样品：电动机 标准：小功率电动机的安全要求 GB 12350-2009

检测项：接触电流 检测样品：音频、视频及类似电子设备 标准：音频、视频及类似电子设备安全要求 GB 8898-2011

检测项：输入功率和电流 检测样品：家用和类似用途的电器 标准：家用和类似用途电器的安全 GB 4706.1-2005

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：ECL电路 标准：半导体集成电路ECL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10737-1996

检测项：输出低阻态时低电平电流 检测样品：ECL电路 标准：半导体集成电路ECL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10737-1996

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：TTL电路 标准：半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：断态重复峰值电流IDRM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>