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检测项:浪涌(冲击)抗扰度试验 检测样品:信息技术 设备 标准:GB/T 17626.5-2008 浪涌(冲击)抗扰度试验
检测项:脉冲磁场 检测样品:信息技术 设备 标准:GB/T 17626.9-1998 脉冲磁场抗扰度试验
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:浪涌(冲击) 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验 GB/T 17626.5-2008 IEC 61000-4-5:2005 EN 61000-4-5:2006
检测项:浪涌 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 IEC 61000-3-2:2005+A1:2008+A2:2009 EN 61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
检测项:谐波电流 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项:浪涌(冲击)抗扰度 检测样品:电子和电气产品、信息设备及工、科、医类设备 标准:电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验 GB/T 17626.5-2008
检测项:浪涌(冲击)抗扰度 检测样品:电子和电气产品、信息设备及工、科、医类设备 标准:信息技术设备抗扰度限值和测量方法 CISPR 24:2001
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:断态电流 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982
检测项:静态漏-源通态电阻 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:静态漏-源通态电压 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3021
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3020
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.14条
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态电流(IOZ) 检测样品:DC/DC变换器 标准:混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-97
检测项:漏源通态电阻(rDS(on)) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:漏源通态电压(VDS(on)) 检测样品:光电 耦合器 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:潮态后泄漏电流和耐压测试 检测样品:保温盘、液体加热器、烘箱、浸入式加热器、电烙铁 标准:UL499:2012 电热器具的标准
检测项:潮态测试 检测样品:电风扇 标准:UL507:2010 电风扇标准
检测项:潮态测试 检测样品:家庭个人修饰用电器 标准:UL859:2010 家庭个人修饰用电器标准
机构所在地:广东省佛山市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:TTL 电路测试 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:TTL 电路测试 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:微电子器件 标准:微电子器件 试验方法和程序GJB548B-2005
机构所在地:辽宁省沈阳市 更多相关信息>>