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检测项：导通态漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：截止态源极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：导通态漏电流IDS（on） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
检测项：断态电流(ID) 检测样品：运算放大器 标准：GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》
检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范
检测项：输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：导通态漏电流IDS（on ） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项：漏--源通态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项：截止态漏级漏电流ID（off） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：浪涌抗扰度 检测样品：电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准：电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012 EN61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009 IEC61000-3-2:2005+A1:200
检测项：浪涌抗扰度 检测样品：工业、科学和医疗射频设备 标准：灯具电磁辐射（EMF）EN 62493:2010 IEC 62493:2009
检测项：浪涌抗扰度 检测样品：多媒体设备 标准：多媒体设备的电磁兼容性 EN 55032:2012 CISPR32:2012
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压
检测项：导通态漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压
检测项：硝态氮 检测样品：土壤 标准：森林土壤硝态氮的测定 LY/T 1230-1999
检测项：硝态氮 检测样品：土壤 标准：土壤有机质测定法 NY/T 85-1988
检测项：氨基酸态氮 检测样品：鸡精调味料 标准：鸡精调味料SB/T 10371-2003
机构所在地：山东省青岛市 更多相关信息>>
检测项：浪涌 检测样品： 标准：
检测项：浪涌（冲击）抗扰度 检测样品：电子和电气设备电磁兼容 标准：电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T 17626.5-2008/IEC 61000-4-5：2005
检测项：浪涌（冲击）抗扰度 检测样品：电子和电气设备电磁兼容 标准：信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法 GB 9254-2008 CISPR 22：2006
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：功能 检测样品：模拟开关 标准：半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000；
检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项：功能 检测样品：采样/保持放大器 标准：半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理 GB/T 14115-1993 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996；
机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项：冲击耐受能力 检测样品：信号网络浪涌保护器（SPD） 标准：信号网络浪涌保护器（SPD）技术要求和测试方法 YD/T 1542-2006
检测项：SPD的脱离器和SPD过载时的安全性能试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011
检测项：二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011
