漏源/集射间反向击穿电压检测实验

棘突植入物

简介

棘突植入物

简介

棘突植入物产品描述：通常由单个或多个部件组成。一般采用钛合金等材料制成。该产品可用于在腰椎棘突间施加一定的撑开力，限制腰椎过度后伸。

棘突植入物预期用途：用于维持腰椎活动节段棘突间的稳定。

棘突植入物品名举例：棘突间植入物

棘突植入物管理类别：Ⅲ

棘突植入物相关指导原则：
1、3D打印人工椎体注册技术审查指导原则
2、增材制造金属植入物理化性能均一性研究指导原则

棘突植入物相关标准：
1、YY/T 1701-2020 用于增材制造的医用Ti-6Al-4V/Ti-6Al-4V ELI粉末
2、YY/T 0772.3-2009 外科植入物超高分子量聚乙烯第3部分：加速老化方法
3、YY/T 0772.4-2009 外科植入物超高分子量聚乙烯第4部分：氧化指数测试方法

收起百科↑ 最近更新：2023年04月03日

搜索条件所在地区: 所属类别:

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：集射极反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3011.2

检测项：集基极反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：射基极反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3026.1

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地：更多相关信息>>

我要咨询联系我们
云南师范大学太阳能研究所检测中心

检测项：材料要求检测样品：玻璃-金属封接式热管真空太阳集热管标准：GB/T 19775-2005玻璃-金属封接式热管真空太阳集热管

检测项：*全部项目检测样品：全玻璃真空太阳集热管标准：GB/T 17049-2005全玻璃真空太阳集热管

检测项：*材料检测样品：玻璃-金属封接式热管真空太阳集热管标准：GB/T 19775-2005玻璃-金属封接式热管真空太阳集热管

机构所在地：云南省昆明市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
北京市医疗器械检验所

检测项：全部项目检测样品：头部多源γ射束立体定向放射治疗系统标准：γ射束立体定向放射治疗系统第1部分：头部多源γ射束立体定向放射治疗系统 YY 0831.1-2011

检测项：全部项目检测样品：立体定位射波手术平台标准：立体定位射波手术平台 YZB/USA 1671-2005

检测项：全部项目检测样品：放射治疗中电子射野成像装置标准：放射治疗中电子射野成像装置性能和试验方法YY/T0890-2013

机构所在地：北京市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
泉州市疾病预防控制中心

检测项：含密封源仪表中漏射线检测样品：一次性使用卫生、医疗用品与消毒产品标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求GBZ125-2009

检测项：含密封源仪表中漏射线检测样品：一次性使用卫生、医疗用品与消毒产品标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求GBZ125-2009

检测项：含密封源仪表中辐射剂量检测样品：一次性使用卫生、医疗用品与消毒产品标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求GBZ125-2009

机构所在地：福建省泉州市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
汕头市职业病防治所（汕头市职业卫生检测中心）

检测项：源容器漏射线剂量当量率检验检测样品：电离辐射防护标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求 GBZ 125-2009

检测项：工作场所及周围环境外照射水平监测检测样品：电离辐射防护标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求 GBZ 125-2009

检测项：表面污染监测检测样品：电离辐射防护标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求 GBZ 125-2009

机构所在地：广东省汕头市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：晶体二极管标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

检测项：漏--源断态电阻RDSon 检测样品：晶体二极管标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off）检测样品：模拟集成电路标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：漏－源击穿电压检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电阻检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：四川省成都市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
贵州航天计量测试技术研究所

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：静态漏-源通态电阻rDS 检测样品：晶体振荡器标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：漏源击穿电压V（BR）DSS 检测样品：晶体振荡器标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

机构所在地：贵州省贵阳市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
北京振兴计量测试研究所

检测项：栅源短路时的漏极电流检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

机构所在地：北京市更多相关信息>>

我要咨询联系我们

棘突植入物

简介

棘突植入物

简介

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

云南师范大学太阳能研究所检测中心

北京市医疗器械检验所

泉州市疾病预防控制中心

汕头市职业病防治所（汕头市职业卫生检测中心）

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

贵州航天计量测试技术研究所

北京振兴计量测试研究所

热点资讯MORE>

最新资讯MORE>

客户服务