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在试生产期间,经过温度循环之后,一些样品发生了光电失效。失效样品的破坏性物理分析(DPA)显示,二极管芯片上的裂纹把芯片分成两部分。
2020/02/10 更新 分类:检测案例 分享
在本文当中,我们主要的目的是对湿法刻蚀的部分配方进行分享与展示。这些配方有着特殊的用途,它们能够被应用在芯片的失效分析工作之中。
2025/01/19 更新 分类:科研开发 分享
对于研发工程师,在排查完外围电路、生产工艺制程可能造成的损伤后,更多的还需要原厂给予支持进行剖片分析。不管芯片是否确实有设计问题,但出于避免责任纠纷,最终原厂回复给你的报告中很可能都是把问题指向了“EOS”损伤,进而需要你排查自己的电路设计、生产静电防控。
2020/10/29 更新 分类:科研开发 分享
各位芯片行业的朋友们,今天,我想结合相关资料和最新研究,和大家聊聊FinFET技术中常见的失效分析(FA)问题、可靠性问题以及相应的定位方法。
2025/03/14 更新 分类:科研开发 分享
通过对经过SMT工艺试验的产品抽样进行超声扫描,发现产品载片区(PAD)与模塑料之间存在较为严重的离层现象
2024/02/23 更新 分类:检测案例 分享
本文通过两个案例介绍了TDR在失效定位中的应用:在分析复杂的PCB开短路问题或不破坏芯片的前提下,进行互连失效定位时,TDR无疑是一种非常有效的手段。
2021/07/16 更新 分类:科研开发 分享
本文介绍了NC(not connect pin)管脚短路导致的芯片失效。
2025/04/13 更新 分类:检测案例 分享
本文主要介绍了什么是电迁移,电迁移现象的机理,电迁移引起的失效模式及控制措施与手段。
2022/02/24 更新 分类:科研开发 分享
本文介绍了Test escape常见的失效原因及Test escape常见的失效原因。
2025/04/13 更新 分类:检测案例 分享
某款三星电子制造的显示器产品在10米法电波暗室进行辐射(RE)发射测试时,发现128MHz频点余量不满足6dB管控要求。
2024/10/25 更新 分类:科研开发 分享