在试生产期间，经过温度循环之后，一些样品发生了光电失效。失效样品的破坏性物理分析（DPA）显示，二极管芯片上的裂纹把芯片分成两部分。

2020/02/10 更新 分类：检测案例 分享

在本文当中，我们主要的目的是对湿法刻蚀的部分配方进行分享与展示。这些配方有着特殊的用途，它们能够被应用在芯片的失效分析工作之中。

2025/01/19 更新 分类：科研开发 分享

对于研发工程师，在排查完外围电路、生产工艺制程可能造成的损伤后，更多的还需要原厂给予支持进行剖片分析。不管芯片是否确实有设计问题，但出于避免责任纠纷，最终原厂回复给你的报告中很可能都是把问题指向了“EOS”损伤，进而需要你排查自己的电路设计、生产静电防控。

2020/10/29 更新 分类：科研开发 分享

各位芯片行业的朋友们，今天，我想结合相关资料和最新研究，和大家聊聊FinFET技术中常见的失效分析（FA）问题、可靠性问题以及相应的定位方法。

2025/03/14 更新 分类：科研开发 分享

通过对经过SMT工艺试验的产品抽样进行超声扫描，发现产品载片区（PAD）与模塑料之间存在较为严重的离层现象

2024/02/23 更新 分类：检测案例 分享

本文通过两个案例介绍了TDR在失效定位中的应用：在分析复杂的PCB开短路问题或不破坏芯片的前提下，进行互连失效定位时，TDR无疑是一种非常有效的手段。

2021/07/16 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了NC（not connect pin）管脚短路导致的芯片失效。

2025/04/13 更新 分类：检测案例 分享

本文主要介绍了什么是电迁移，电迁移现象的机理，电迁移引起的失效模式及控制措施与手段。

2022/02/24 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了Test escape常见的失效原因及Test escape常见的失效原因。

2025/04/13 更新 分类：检测案例 分享

某款三星电子制造的显示器产品在10米法电波暗室进行辐射（RE）发射测试时,发现128MHz频点余量不满足6dB管控要求。

2024/10/25 更新 分类：科研开发 分享