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检测项：开环电压增益 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996
检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品：工业、科学、医疗设备 标准：电磁兼容 试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的 抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：运算放大器 标准：半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项：开环电压增益 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项：输入失调电压 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项：开环性能（增益，带宽，失真，动态范围） 检测样品：RF器件 标准：微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4004.2
检测项：开环性能（增益，带宽，失真，动态范围） 检测样品：CMOS集成电路 标准：微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4004.2
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T 14030-1992
检测项：开环电压增益 检测样品：电子元器件 标准：微电路试验方法和程序GJB 548B-2005
检测项：门极触发电压 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项：输入失调电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项：输入失调电压 检测样品：集成运放 电路 标准：可靠性鉴定和验收试验GJB899-2009
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项：输入箝位电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项：输入失调电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项：开环电压增益 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项：开环电压增益 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：GB/T6798-1996 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》
检测项：开环电压增益 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>
检测项：开环电压增益 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项：V/F增益误差 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：V/F增益误差温度系数 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：开环电压增益 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理SJ/T10738-1996
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
