| 圆片瓷介电容器0201 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.4 |
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| 圆片瓷介电容器0201 |
制样镜检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.5 |
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| 多层瓷介（独石）电容器0202 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2 |
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| 多层瓷介（独石）电容器0202 |
引出端强度（对带引线有包封层的电容器） |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.3 |
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| 多层瓷介（独石）电容器0202 |
内部目检（对带引线有包封层的电容器） |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.4 |
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| 多层瓷介（独石）电容器0202 |
制样镜检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.5 |
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| 云母电容器0203 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2 |
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| 云母电容器0203 |
引出端强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.3 |
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| 云母电容器0203 |
内部目检 |
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| 云母电容器0203 |
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军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.5 |
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