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检测项:输出低电平电压 检测样品:数字集成电路 标准:GJB597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:SJ/T10738-96 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项:输出低电平电源电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:SJ/T10738-96 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
机构所在地:江苏省连云港市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
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机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压 检测样品:时基 电路 标准:半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条
检测项:低电平输出电流 检测样品:时基 电路 标准:半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:运算 (电压)放大器 标准:半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平 电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:输出低电平 电流 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:输出电压 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
检测项: 检测样品: 标准:美国锅炉及压力容器规范ASME Vol.V 2007
检测项: 检测样品: 标准:美国锅炉及压力容器规范ASME Vol.V 2010
检测项:涡流检测 检测样品: 标准:美国锅炉及压力容器规范ASME Vol.V 2004
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:组胺 检测样品:干香肠 标准:液相色谱法测试干香肠中的生物Journal AOAC International Vol.76 No.3 ,1993,P575~577
机构所在地:山东省青岛市 更多相关信息>>
检测项:超声波检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:ASME锅炉及压力容器规范ASME Vol.V2010
检测项:射线检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:ASME锅炉及压力容器规范ASME Vol.V2010
检测项:射线检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:ASME锅炉及压力容器规范ASME Vol.IX QW-191
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
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检测项:高到低电平输出的传输延迟时间 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:三态转低电平输出时间 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:防弹性能 检测样品:防弹玻璃 标准:装甲车辆防护等级评价方法 NATO AEP-55 VOL 1 Edition 2
机构所在地:山东省济南市 更多相关信息>>
检测项:VOL 检测样品:耐火材料 标准:含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 GB/T16555-2008
机构所在地:山东省淄博市 更多相关信息>>