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检测项：变压器油耐压试验 检测样品：变压器油 标准：GB/T 507-2002 IEC60156:1995 《绝缘油击穿电压测定法》
检测项：电压比测量和联结组标号检定 检测样品：变压器 标准：GB1094.1-1996 IEC60076-1:2011 《电力变压器 第1部分 总则》
机构所在地：河北省保定市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016
检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《高稳定薄膜固定电阻器总规范》 GJB 1929-1994
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《片式膜固定电阻器通用规范》 GJB 1432B-2009
机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>
检测项：**全部项目 检测样品：变压器 标准：GB/T 507-2002 IEC60156:1995 绝缘油 击穿电压测定法
检测项：*全部项目 检测样品：变压器 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002 IEC60156:1995
检测项：*全部项目 检测样品：绝缘子、避雷器 标准：GB/T 20642-2006 IEC 61211：2004 高压线路绝缘子空气中冲击击穿试验
检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：漏－源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：栅源击穿电压V（BR）GSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项：漏源击穿电压V（BR）DSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项：击穿电压V(BR) 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：绝缘层击穿电压的试验 检测样品：绝缘手套 标准：GB 17622-2008 带电作业用绝缘手套通用技术条件
