上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：击穿电压 检测样品：晶体 谐振器 标准：《石英晶体元件 总规范》 GJB 2138-1994

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

国网青海省电力公司电力科学研究院

检测项：击穿电压 检测样品：六氟化硫 标准：《绝缘油介电强度测定法》DL/T 429.9-1991

检测项：击穿电压 检测样品：六氟化硫 （SF6） 标准：《绝缘油介电强度测定法》DL429.9-1991

检测项：绝缘电阻 检测样品：橡塑绝缘 电力电缆 标准：《额定电压110kV交联聚乙烯绝缘电力电缆及其附件》GB/T11017.1～11017.3－2002 《额定电压1kV(Um=1.2kV)到35kV(Um=40.5kV)挤包绝缘电力电缆及其附件》GB/T12706.1～12706.4－2002 《额定电压

机构所在地：青海省西宁市 更多相关信息>>

北京诚聚成电力技术检测有限公司

检测项：测量绝缘电阻 检测样品：套管 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006 第十六章

检测项：外状 检测样品：绝缘油 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006 第二十章

检测项：击穿电压 检测样品：避雷器 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006 第二十一章

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

天威保变（合肥）变压器有限公司检测中心

检测项：变压器油介质强度 检测样品：电力变压器、牵引变压器 标准：GB/T507-2002《绝缘油击穿电压测定法》

检测项：电压比测量和联结组标号检定 检测样品：电力变压器、牵引变压器 标准：GB 1094.1-1996《电力变压器第1部分总则》 IEC60076-1:2011 JB/T 501-2006《电力变压器试验导则》

机构所在地：安徽省合肥市 更多相关信息>>

河南天海电器有限公司检测中心

检测项：耐击穿电压强度试验 检测样品：汽车电气设备 标准：汽车电气设备基本技术条件 QC/T 413-2002(2009)

检测项：电压降 检测样品：汽车用熔断器 标准：汽车用熔断器 QC/T 420-2004

检测项：电压降 检测样品：汽车用熔断器 标准：汽车用熔断器 QC/T 420-2004

机构所在地：河南省鹤壁市 更多相关信息>>

广东蓉胜超微线材股份有限公司检测中心

检测项：击穿电压 （圆棒法） 检测样品：漆包铜圆线 标准：绕组线试验方法 第5部分：电性能 GB/T 4074.5-2008

检测项：击穿电压 （扭绞法） 检测样品：漆包铜圆线 标准：绕组线试验方法 第5部分：电性能 GB/T 4074.5-2008

检测项：击穿电压 检测样品：漆包铜圆线 标准：漆包圆绕组线 第10部分：155级直焊聚氨酯漆包铜圆线 GB/T 6109.10-2008

机构所在地：广东省珠海市 更多相关信息>>

魏德曼检测技术（上海）有限公司

检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：绝缘液中水含量的测定 卡尔•费休电量滴定法 NB/SH/0207-2010

检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：电力系统油质试验方法 绝缘油介电强度测定法 DL/T 429.9-1991

检测项：2-糠醛和有关化合物 检测样品：电力用油 标准：绝缘油击穿电压测定法 GB/T 507-2002

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：部分项目 检测样品：印制板用阻焊剂 标准：SJ/T10309- 92《印制板用阻焊剂》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：栅源击穿电压 检测样品：VDMOS管 标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1

检测项：电压调整率和电压稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T 4377-1996

检测项：输出电压长期稳定性 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T 4377-1996

机构所在地：上海市 更多相关信息>>