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检测项：击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项：截止电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：部分参数 检测样品：冰糖（多晶、单晶） 标准：QB/T 1174-2002 多晶体冰糖 QB/T 1173-2002单晶体冰糖
机构所在地：广东省珠海市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项：击穿电压 V（BR） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项：工作电压VZ 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项：VFM: 正向峰值電壓 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项：IR: 反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地： 更多相关信息>>
检测项：外部目检 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管
检测项：粒子碰撞噪声检测 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管
检测项：粗检漏 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项：基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项：共发射正向电流传输比 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：线膨胀系数 检测样品：塑料和树脂 标准：塑料 -30℃～30℃线膨胀系数测定的测定 石英膨胀计法 GB/T1036-2008
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：全部项目 检测样品：光固化机 标准：牙科-光固化机 第1部分：石英钨卤素灯YY0055.1-2009/ISO 10650-1：2004
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：化学稳定性 检测样品：石英砂 标准：《工业循环冷却水和锅炉用水中硅的测定》GB/T 12149-2007；《电力建设施工及验收技术规范（第4部分 电厂化学）》DL/T 5190.4-2004
检测项：组串运行电流测试 检测样品：光伏发电单元 标准：《晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量》GB/T 18210-2000
检测项：光伏方阵功率测试 检测样品：光伏发电单元 标准：《晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量》GB/T 18210-2000
