中国测试技术研究院

检测项：全项目 检测样品：磁强计 标准：霍尔效应磁强计 JB/T9296-1999

检测项：全项目 检测样品：磁强计 标准：霍尔效应磁强计 JB/T9296-1999

检测项：温度冲击 检测样品：军用装备 标准：军用装备实验室环境试验方法 第5部分 温度冲击试验 GJB 150.5A-2009

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国地质大学（武汉）珠宝检测中心

检测项：特殊光学效应 检测样品：钻石 标准：钻石分级GB/T16554-2010

检测项：特殊光学效应 检测样品：钻石 标准：钻石分级GB/T16554-2010

检测项：特殊光学效应 检测样品：钻石 标准：钻石分级GB/T16554-2010

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

腾冲中检珠宝检测有限公司

检测项：特殊光学效应 检测样品： 标准：

机构所在地： 更多相关信息>>

甘肃省产品质量监督检验中心

检测项：特殊光学效应 检测样品：钻石 标准：《钻石分级》GB/T 16554-2010

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

河北省金银宝玉饰品质量监督检验站

检测项：特殊光学效应 检测样品：珠宝玉石 标准：

机构所在地：河北省保定市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：温度冲击 检测样品：电子元器件(气候试验) 标准：1.GJB360B-2009电子及电气元件试验方法，方法107 2.GJB150.5A-2009军用设备实验室环境试验方法第5部分

检测项：温度循环 检测样品：电子元器件(气候试验) 标准：1.GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序,方法1010.1 2.GJB128A-1997半导体分立器件试验方法，方法1051

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅-源击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>