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检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
检测项:正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:正向电压(VF) 检测样品:发光二极管 (LED) 标准:国际照明委员会技朮报告 LED测量 CIE127-2007
检测项:正向电流(IF) 检测样品:发光二极管 (LED) 标准:半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 GB/T14862-1993
机构所在地:广东省惠州市
检测项:正向电压VF 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:正向电流传输比HFE 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:正向跨导Gfs 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市