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检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：发射极-基极截止电流Iebo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项：基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项：发射极-基极击穿电压BVebo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项：发射极与第一基极间反向电流Ieo 检测样品：继电器 标准：GJB1042A-2002 电磁继电器通用规范
检测项：基极--发射极饱和电压VBES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：发射极－基极截止电流（反向电流）（IEBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
检测项：发射极电流为零时的最高集电极－基极电压（VCBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
检测项：基极电流为零时的最高集电极－发射极电压（VCEO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极 截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项：发射极-基极 截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
检测项：基极-发射极 饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>
