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检测项:反向击穿电压 检测样品:电阻器 标准:《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:光电器件 标准:《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003
机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3
检测项:反向击穿电压 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分 总规范 GB/T2693-2001 第4.5、4.6、4.7、4.8、4.9条
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:电容 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T2693-2001
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
检测项:反向击穿电压(V(BR)) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>