官方微信
您当前的位置:首页 > CeO2
含重组人骨形态发生蛋白质的骨修复材料产品描述:通常在异种骨、同种异体骨、胶原、无机钙盐类材料、可吸收高分子材料中的一种或两种以上的复合材料中加入骨形态发生蛋白质-2(BMP-2)。 含重组人骨形态发生蛋白质的骨修复材料预期用途:用于骨缺损、骨不连、骨延迟愈合或不愈合的填充修复,以及脊柱融合、关节融合及矫形植骨修复。 含重组人骨形态发生蛋白质的骨修复材料品名举例:含蛋白...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月06日
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:场均匀性 检测样品:温度试验设备 环境试验设备 标准:GB/T5170.2-2008 电工电子产品环境试验设备检验方法 温度试验设备
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项:高温 检测样品:电子和电气产品 标准:电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验B:高温 GB/T 2423.2-2008 军用设备环境试验方法 高温试验 GJB 150.3A-2009 军用通信设备通用规范 A02高温试验 GJB 367A-2001
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:CE107电源线尖峰信号(时域)传导发射 检测样品:电子和电气产品、信息设备及军用设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验GB/T17626.2-2006/IEC61000-4-2:2001
检测项:静电放电抗扰度 检测样品:电子和电气产品、信息设备及军用设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验GB/T17626.2-2006/IEC61000-4-2:2001
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:场效应晶体管 标准:《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997
检测项:轴线的重复定位精度 检测样品:环境试验设备 标准:《电工电子产品环境试验设备基本检验方法 温度试验设备》GB/T 5170.2-2008
检测项:轴线的反向差值 检测样品:环境试验设备 标准:《电工电子产品环境试验设备基本检验方法 温度试验设备》GB/T 5170.2-2008
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
检测项:集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:基准电压 (VREF) 检测样品:半导体集成电路数字集成电路 标准:半导体器件 集成电路第2部分:数字集成电路 GB/T17574-1998
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:热真空 检测样品:电子、 电工产品 标准:《军用设备环境试验方法 温度-高度试验》 GJB150.6-1986 第2.1、2.2、2.3、2.4条
检测项:低气压 检测样品:电子、 电工产品 标准:《军用装备实验室环境试验方法 第2部分 低气压(高度)试验》 GJB150.2A-2009 Ⅰ类Ⅱ类
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:湿热试验 检测样品:电气设备环境试验 标准:电工电子产品环境试验 第2 部分:试验方法 试验B:高温 GB/T2423.2-2008
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:声学扫描显微镜检查 检测样品:数控机床 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 项目1103/2.4
检测项:定位精度 检测样品:数控机床 标准:机床检验规则 GB/T 17421.2-2000
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比静态值 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:特征频率 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:物理和机械性能 检测样品:玩具 标准:ST2002 第十版(2010) 日本玩具安全标准 第一部分 机械物理性能
检测项:安全要求部分项目 检测样品:白炽灯用交、直流电子压降转换器 标准:IEC 61347-2-2:2011, EN 61347-2-2:2001 + A1:2006 + A2:2006, AS/NZS 61347.2.2
检测项:电压波动和闪烁 检测样品:额定电流不大于16A的低压电器及电子设备 标准:IEC61000-3-2:2005+A1:2008+A2:2009 EN61000-3-2:2006+A2:2009 电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≦16A)
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>