近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。

2022/11/30 更新 分类：科研开发 分享

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2023/11/21 更新 分类：科研开发 分享

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2024/03/15 更新 分类：科研开发 分享

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2024/04/17 更新 分类：科研开发 分享

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2024/05/06 更新 分类：科研开发 分享

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2015/11/02 更新 分类：法规标准 分享

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2017/04/24 更新 分类：法规标准 分享

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2017/08/03 更新 分类：法规标准 分享

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2017/10/10 更新 分类：法规标准 分享

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2020/03/23 更新 分类：科研开发 分享