官方微信
您当前的位置：首页 > 集电极-基极暗电流
检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：集电极-基极截止电流（ICBO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：暗电流 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.6-1999光电池测量方法 暗电流
机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>
检测项：暗电流 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：PD暗电流 检测样品：光纤连接器 标准：光纤活动连接器 第1部分：LC型 YD/T 1272.1-2003 MU型单模光纤活动连接器技术条件 YD/T 1200-2002 光纤活动连接器 第3部分：SC型 YD/T 1272.3-2005 单模光纤活动连接器 第4部分：FC型 YD/T 1272
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011
检测项：射基极关态电流 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3061.1
检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3001.1
检测项：基极电压偏转 系数 检测样品：模拟示波器 标准：GB/T 6585-1996 《 阴极射线示波器通用规范 》
检测项：集电极电流偏转系数 检测样品：模拟示波器 标准：GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
检测项：集电极电流 倍率 检测样品：模拟示波器 标准：GB/T 6585-1996 阴极射线示波器通用规范
机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>
