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防龋材料产品描述:一般采用树脂基材料或含氟材料制成。 防龋材料预期用途:用于预防龋齿,封闭牙齿窝沟点隙,阻断细菌进入,或提高牙齿釉质的耐酸蚀性。 防龋材料品名举例:氟保护剂、氟保护漆、氟化泡沫、氟防龋材料、防龋凝胶、光固化窝沟封闭剂、窝沟封闭剂、牙科树脂基窝沟封闭剂 防龋材料管理类别:Ⅱ 防龋材料相关指导原则: 1、窝沟封闭剂产品注...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年06月12日
检测项:部分项目 检测样品:用于交流的断路器 标准:电气附件 家用及类似场所用过电流保护断路器 第1部分:用于交流的断路器 GB 10963.1-2005
检测项:部分项目 检测样品:低压成套开关设备和控制设备 标准:低压成套开关设备和控制设备 第1部分:型式试验和部分型式试验成套设备 GB 7251.1-2005
检测项:部分项目 检测样品:一般用途安全隔离变压器 标准:电力变压器、电源装置和类似产品的安全 第7部分:一般用途安全隔离变压器的特殊要求 GB 19212.7-2006
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:短路保护 检测样品:锂离子电池 标准:锂电池 UL 1642-2012
检测项:安全保护性短路保护 检测样品:锂离子电池 标准:蜂窝电话用锂离子电池总规范 GB/T 18287-2000
检测项:安全保护性短路保护 检测样品:锂离子电池 标准:锂电池 UL 1642-2005
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:短路保护 检测样品: 标准:
检测项:短路保护性能 检测样品:金属氢化物镍电池 标准:《蜂窝电话用金属氢化物镍电池总规范》 GB/T 18288-2000
检测项:短路保护 检测样品:金属氢化物镍电池 标准:《蜂窝电话用金属氢化物镍电池总规范》 GB/T 18288-2000
机构所在地:广东省惠州市 更多相关信息>>
检测项:短路保护 检测样品:广播电视、电声设备 标准:道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分:电气负荷 4.10短路保护 ISO 16750-2:2010
检测项:短路保护 检测样品:汽车电气产品 标准:道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分:电气负荷 GB/T 28046.2-2011
检测项:短路保护 检测样品:汽车电气产品 标准:道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分:电气负荷 ISO 16750-2:2010
机构所在地:辽宁省大连市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输出短路电流 检测样品:TTL电路 标准:半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
检测项:小信号短路正向跨导gfs 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流IOS 检测样品:TTL电路 标准:《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
检测项:极限短路电流(基准部分)IOS 检测样品:脉宽调制器 标准:《半导体集成电路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)型脉宽调制器详细规范》SJ 20294-1993
检测项:输出低电平(输出部分)VOL 检测样品:脉宽调制器 标准:《半导体集成电路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)型脉宽调制器详细规范》SJ 20294-1993
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流IOS 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项:输出短路电流IOS 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项:短路正向跨导gfs 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流IOS 检测样品:ECL电路 标准:SJ/T10737-1996《半导体集成电路ECL电路测试方法的基本原理》
检测项:输出短路电流IOS 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项:短路保护试验 检测样品:滤波器 标准:GB7343-1987《10kHz~30MHz无源无线电干扰滤波器和抑制元件抑制特性的测量方法》
检测项:输出短路电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输出高电平电压 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输出低电平电压 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出短路电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3005.1
检测项:输出短路电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3011.1
检测项:输出短路电流 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.16条
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>