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检测项:栅极触发电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4221.1
检测项:栅极触发电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4221.1
机构所在地:陕西省西安市
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:控制极触发电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项:控制极触发电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
机构所在地:江苏省南京市
检测项:门极触发电流和(或)电压(IGT、VGT) 检测样品:运算放大器 标准:GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》
机构所在地:北京市
机构所在地:北京市