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检测项:电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品:电工电子类产品(EMC) 标准:电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008 电磁兼容(EMC) 第4-11部分:试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 IEC 61000-4-11:2004
检测项:全部参数 检测样品:绝缘介质耐电压试验设备 标准:绝缘介质耐电压试验设备 JB/T 7082-1993
机构所在地:浙江省杭州市 更多相关信息>>
检测项:输出电压调整率 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:电源频率与电压试验 检测样品:计量器具及电工、电子产品 标准:GB/T 6587.8-1986 电子测量仪器 电源频率与电压试验
检测项:绝缘电阻 检测样品:计量器具及电工、电子产品 标准:GB/T 15479-1995 工业自动化仪表绝缘电阻、绝缘强度技术要求和试验方法
机构所在地:山西省太原市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:架空绝缘电缆 标准:额定电压1kV及以下架空绝缘电缆 GB/T12527-2008
检测项:部分项目 检测样品:架空绝缘电缆 标准:额定电压10kV架空绝缘电缆 GB/T14049-2008
检测项:交流电压 检测样品:电线电缆 标准:电线电缆电性能试验方法第8部分:交流电压试验 GB/T 3048.8-2007 额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆第2部分:试验方法 GB/T5023.2-2008 IEC 60227-2:2003 额定电压450/750及以下橡皮绝缘
机构所在地:江苏省宜兴市 更多相关信息>>
检测项:电压不对称 检测样品:变频器 标准:低频传导干扰和公共低电压电网供电系统的电压波动的兼容性水平4.6 IEC 61000-2-2-2002
检测项:电压暂降、变化和短时中断抗扰度 检测样品:变频器 标准:低频传导干扰和公共低电压电网供电系统的电压波动的兼容性水平4.8 IEC 61000-2-2-2002
检测项:电网端骚扰电压 检测样品:变频器 标准:电压暂降、变化和短时中断抗扰度 GB/T 17626.11-2008
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:直流电压跌落试验 检测样品:信息技术类设备,通信网络设备(EMC) 标准:IEC 61000-4-29:2000 电磁兼容 试验和测量技术 直流电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验
检测项:电压波动和闪烁 检测样品:信息技术类设备,通信网络设备(EMC) 标准:GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制
检测项:电压波动和闪烁 检测样品:信息技术类设备,通信网络设备(EMC) 标准:IEC 61000-3-3:2008 电磁兼容 对额定电流≤16A的设备在低压供电系统中产生的电压波动和闪烁的限制
检测项:输入失调电压 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:电压调整率 检测样品:电压调整器 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项:开环电压增益 检测样品:运算放大器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:开环电压增益 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:电源电压抑制比 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:输出峰-峰值电压 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
机构所在地:江苏省连云港市 更多相关信息>>
检测项:交流电压 检测样品:电线电缆 标准:电线电缆电性能试验方法第8部分:交流电压试验 GB/T3048.8-2007
检测项:电压比和连接组标号 检测样品:油浸式电力变压器 标准:油浸式电力变压器技术参数和要求 GB/T6451-2008
检测项:电压比和连接组标号 检测样品:干式电力变压器 标准:干式电力变压器技术参数和要求 GB/T10228-2008
机构所在地:山东省淄博市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:基极-发射极饱和电压VBesat 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>