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检测项:反向击穿电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982
检测项:集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82
检测项:反向击穿电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:反向电压 检测样品:道路车辆 电气及电子设备 标准:
检测项:耐电压 检测样品: 标准:
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:反向电压 检测样品:船用电气电子设备 标准:中国船级社 电气电子产品型式认可试验指南 GD01-2006
检测项:全部项目 检测样品:聚氯乙烯绝缘电缆 标准:额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆 第6部分:电梯电缆和挠性连接用电缆 GB/T5023.6-2006 IEC 60227-6:2001,IDT
检测项:全部项目 检测样品:橡皮绝缘电缆 标准:额定电压450/750V及以下橡皮绝缘电缆 第6部分:电焊机电缆GB/T5013.6-2008 IEC 60245-6:1994,IDT
机构所在地:福建省福州市 更多相关信息>>
检测项:二极管电特性测试 检测样品:二极管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:吸合电压 检测样品:继电器、接触器 标准:飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
检测项:电压降测定 检测样品:民用直流接触器 标准:牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988
机构所在地:贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项:反向电压 检测样品:灯和灯系统 标准:灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006
检测项:反向电流 检测样品:灯和灯系统 标准:灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管 标准:半导体二极管测试方法 SJ/T 11394-2009
机构所在地:山东省潍坊市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:汽车用仪表 标准:QC/T 727-2007 汽车、摩托车用仪表
检测项:电压变化、电压波动和闪烁 检测样品:混合动力、电动汽车 标准:GB 17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公共低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品:混合动力、电动汽车 标准:IEC 61000-4-11:2004 电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验
检测项:电镀层与基材之间的结合力 检测样品:电镀铝轮毂 标准:镀铬铝轮毂和铝轮毂边饰 GMW 15774-2013
检测项:温度储存试验 检测样品:电镀铝轮毂 标准:装饰性镀铬塑料件的最低要求 GMW 14668-2014(3.4.6)
检测项:电镀层厚度 检测样品:电镀(金属)层 标准:金属镀层-镀层厚度测试-X-ray 光谱法 ISO 3497-2000
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:反向馈电保护 检测样品:操作人员触及区使用的UPS 标准:不间断电源设备 第1-1 部分:操作人员触及区使用的UPS的一般规定和安全要求 GB 7260.1-2008; IEC 62040-1-2013; EN 62040-1-2008; AS 62040.1.1-2003
检测项:电压暂降、短时 中断和电压变化 检测样品:居住、商业 和轻工业环境中使用的电气和电子设备 标准:磁兼容 通用标准 居住、商业和轻工业环境中的抗扰度试验 GB 17799.1-1999 EN 61000-6-1:2007,IEC 61000-6-1:2005
检测项:电压暂降、短时中断和 电压变化 检测样品:工业环境中使用的电气和电子设备 标准:电磁兼容 通用标准 工业环境中的发射标GB 17799.4-2001 EN 61000-6-4:2007+A1:2011,IEC 61000-6-4:2006+A1:2011
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:反向重复峰值电流IRRM 检测样品:闸流晶体管 标准:GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分:晶闸管
检测项:反向电压 检测样品:发光二极管 标准:1、GB/T 18904.3-2002 半导体器件第12-3部分:光电子器件显示用发光二极管空白详细规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法 3、SJ/T 11394-2009 半导体二极
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:反向截止电流ICEO 检测样品:晶闸管 标准:GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分:晶闸管
检测项:反向漏电流Ir 检测样品:晶闸管 标准:GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分:晶闸管
检测项:反向击穿电压V(BR) 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>