西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅源阈值电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理

检测项：输出低电平电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成电路 标准：GJB597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：限幅电平 检测样品： 标准：

检测项：低电平电压 检测样品：时基电路 标准：《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：阈值电流 检测样品：电压 调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996 第4.1、4.2、4.7、4.10条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：阈值电流Ith 检测样品：微电路模块 标准：1、SJ 20668-1998 微电路模块总规范 2、SJ 20645-1997 微波电路放大器测试方法

检测项：阈值电流Ith 检测样品：微电路模块 标准：1、SJ 20668-1998 微电路模块总规范 2、SJ 20645-1997 微波电路放大器测试方法

检测项：栅-源阈值电压VGS(to） 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

湖北省计量测试技术研究院

检测项：具有固定监视器阈值的开关不均衡性 检测样品：超声探伤仪 标准：无损检测 超声检测设备的性能与验证 第1部分：仪器 EN12668-1:2000

检测项：ESD阈值 检测样品：粗波分复用光收发合一模块 标准：粗波分复用光收发合一模块技术要求和测试方法 YD/T 1351-2005

检测项：连续波激光器阈值 检测样品：固体激光器 标准：固体激光器总规范 GB/T 15490-1995 固体激光器主要参数测试方法 GB/T 15175-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS（th） 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：静态参数 检测样品：电平转换器 标准：半导体集成接口电路电平转换器测试方法的基本原理 SJ/T 10804-2000

检测项：动态参数 检测样品：电平转换器 标准：半导体集成接口电路电平转换器测试方法的基本原理 SJ/T 10804-2000

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入阈值电压和滞后电压 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国移动通信有限公司研究院实验室

检测项：SIM卡被攻击的处理（小于阈值次数） 检测样品：软交换服务器 标准：《2GHz TD-SCDMA/WCDMA数字蜂窝移动通信网移动软交换服务器之间的Nc接口测试方法（第二阶段）》 YD/T 1510-2007

检测项：SIM卡被攻击的处理（大于等于阈值次数） 检测样品：软交换服务器 标准：《2GHz TD-SCDMA/WCDMA数字蜂窝移动通信网移动软交换服务器之间的Nc接口测试方法（第二阶段）》 YD/T 1510-2007

检测项：SIM卡被攻击的处理（小于阈值次数） 检测样品：卡 标准：《2GHz TD-SCDMA/WCDMA数字蜂窝移动通信网移动软交换服务器之间的Nc接口测试方法（第二阶段）》 YD/T 1510-2007

机构所在地：北京市 更多相关信息>>