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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
检测项:VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:半导体集成运算放大器 标准:SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3
检测项:集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:发射极-基极击穿电压BVebo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:介电强度 检测样品:电子测量仪器电工电子产品 标准:GB/T4793.1-2007 测量、控制和实验室用电气设备的安全要求 第1部分:通用要求
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品:电工电子类产品(EMC) 标准:GB/T 17626.11-2008 电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 IEC 61000-4-11:2004 电磁兼容(EMC) 第4-11部分:试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验
检测项:电压变化、电压波动和闪烁 检测样品:家用电器、电动工具和类似器具(EMC) 标准:GB 17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16 A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制
检测项:绝缘油击穿耐压 检测样品:油浸式电力变压器 标准:绝缘油击穿电压测定法GB/T507-2002
检测项:绝缘油击穿耐压 检测样品:干式电力变压器 标准:干式电力变压器技术参数和要求 GB/T10228-2008
检测项:绝缘油击穿耐压 检测样品:干式非晶合金变压器 标准:干式非晶合金铁心配电变压器技术参数和要求GB/T22072-2008
机构所在地:山东省淄博市 更多相关信息>>
检测项:工频击穿强度 检测样品:500kV变压器匝间绝缘纸 标准:GB/T3333-1999电缆纸工频击穿电压试验方法
检测项:工频击穿强度 检测样品:造纸原料 标准:QB/T 4250-2011 500kV变压器匝间绝缘纸中5.13
检测项:主波长和兴奋纯度 检测样品:纸浆、纸和纸板 标准:纸和纸板 主波长和兴奋纯度的测定D65/10°漫反射法GB/T 24288-2009
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:性能试验 检测样品:绝缘油介电强度测试仪 标准:高电压测试设备通用技术条件第7部分:绝缘油介电强度测试仪 DL/T 846.7-2004
检测项:供电电源适应性试验 检测样品:绝缘油介电强度测试仪 标准:高电压测试设备通用技术条件第7部分:绝缘油介电强度测试仪 DL/T 846.7-2004
检测项:安全要求试验 检测样品:绝缘油介电强度测试仪 标准:高电压测试设备通用技术条件第7部分:绝缘油介电强度测试仪 DL/T 846.7-2004
检测项:击穿电压 检测样品:电泳漆 标准:最低-40℃
检测项:长时过电压 检测样品:散热器风扇 标准:/
检测项:触电压降试验 检测样品:全车开关 标准:/