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X射线探测器产品描述:X射线探测器(包括平板探测器或光电耦合器(CCD)探测器等)采用特定的光电转换介质将穿过人体的X射线信号转化为数字信号。影像系统一般包括图像传输,处理和显示系统。 X射线探测器预期用途:装配于或配合诊断X射线机,用于将X射线信号转化为数字信号。 X射线探测器品名举例:X射线平板探测器、X射线CCD探测器、X射线动态平板探测器 X射线...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月09日
检测项:Al、As、C、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Ni、P、S、Si、Sn、Ti、V、W 检测样品:不锈钢的光电发射光谱分析 标准:《不锈钢的光电发射光谱分析方法》 GB/T11170-2008
机构所在地:上海市
检测项:Al、As、C、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Ni、P、S、Si、Sn、Ti、V、W 检测样品:不锈钢的光电发射光谱分析 标准:《不锈钢的光电发射光谱分析方法》 GB/T11170-2008
机构所在地:浙江省杭州市
检测项:颜色、色差和显色性 检测样品:固态照明产品 标准:固态照明产品的光电测量方法 IESNA LM-79-08
检测项:灯寿命 检测样品:固态照明产品 标准:固态照明产品的光电测量方法 IESNA LM-79-08
机构所在地:广东省深圳市
检测项:合金元素及杂质测定 检测样品:铝、铜金属与合金 标准:GB/T7999-2007 铝及铝合金光电(测光法)发射光谱分析方法 YS/T482-2005 铜及铜合金分析方法光电发射光谱法
机构所在地:江苏省扬中市
机构所在地:北京市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
机构所在地:江苏省南京市