| 光耦合器1201 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.7 |
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| 光耦合器1201 |
键合强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.8 |
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| 光耦合器1201 |
扫描电子显微镜检查 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.9 |
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| 光耦合器1201 |
剪切强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.10 |
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| 半导体光电模块1202 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2 |
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| 半导体光电模块1202 |
X射线检查(必要时） |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.3 |
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| 半导体光电模块1202 |
粒子碰撞噪声检测（PIND） |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.4 |
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| 半导体光电模块1202 |
密封 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.5 |
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| 半导体光电模块1202 |
内部气体成份分析 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.6 |
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| 半导体光电模块1202 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.7 |
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