塑封半导体集成电路1103 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2 |
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塑封半导体集成电路1103 |
X射线检查 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.3 |
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塑封半导体集成电路1103 |
声学扫描显微镜检查 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.4 |
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塑封半导体集成电路1103 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.5 |
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塑封半导体集成电路1103 |
键合强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.6 |
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塑封半导体集成电路1103 |
扫描电子显微镜检查 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.7 |
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塑封半导体集成电路1103 |
剪切强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.8 |
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光耦合器1201 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2 |
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光耦合器1201 |
X射线检查 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.3 |
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光耦合器1201 |
粒子碰撞噪声检测(PIND) |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.4 |
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