| 微电子器件 |
密封 |
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 112 |
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| 金属膜固定电阻器 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101 |
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| 金属膜固定电阻器 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101 |
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| 金属膜固定电阻器 |
制样镜检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101 |
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| 金属膜固定电阻器 |
外部目检 |
电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B-2014 要求18.3 |
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| 金属膜固定电阻器 |
内部目检 |
电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B-2014 要求18.3 |
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| 金属膜固定电阻器 |
制样镜检 |
电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B-2014 要求18.3 |
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| 多层瓷介(独石)电容器 |
外部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0202 |
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| 多层瓷介(独石)电容器 |
引出端强度 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0202 |
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| 多层瓷介(独石)电容器 |
内部目检 |
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0202 |
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