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血糖及血糖相关参数分析仪器产品描述:通常由主机模块、电源模块、软件模块等组成。原理一般为电化学法、光反射技术、比色法等。不包含采血器具及适配试剂。 血糖及血糖相关参数分析仪器预期用途:与适配试剂配合使用,用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。 血糖及血糖相关参数分析仪器品名举例:血糖分析仪、血糖/尿酸/总胆固醇分析仪、血糖/总胆固醇分析仪、血糖血压测试仪、血糖与血...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年08月07日
检测项:非织物酸碱类化学品防护服耐屈挠性 检测样品:酸碱类化学品防护服 标准:《橡胶或塑料涂覆织物 耐屈挠破坏性的测定 》GB/T 12586-2003
检测项:非织物酸碱类化学品防护服耐屈挠性 检测样品:胶面防砸安全靴 标准:《橡胶或塑料涂覆织物 耐屈挠破坏性的测定 》GB/T 12586-2003
检测项:非织物酸碱类化学品防护服耐磨性 检测样品:酸碱类化学品防护服 标准:《 耐酸(碱)手套》 AQ 6102-2007
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:超声波检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:非破坏性测试 低合金钢的超声波测试 AS 1065-1988
检测项:渗透检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:非破坏性试验 建筑结构钢铁锻件的无损检验 磁粉检验 AS 1171-1998
检测项:目视检测 检测样品:金属材料及其制品 标准:非破坏性测试-目视检查,金属产品和零件 AS 3978-2003
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:非破坏性内部检查 检测样品:宇航级多芯组瓷介固定电容器 标准:含宇航级的多芯组瓷介固定电容器通用规范 GJB 6788-2009
检测项:破坏性物理分析 检测样品: 标准:
检测项:破坏性物理分析 检测样品:有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器 标准:有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB 192B-2011
机构所在地:福建省泉州市 更多相关信息>>
检测项:介电常数 检测样品:覆铜箔层压板 标准:IPC-TM-650《试验方法手册》2.5.5.6 覆箔层压板非破坏性整板谐振介电常数测试(5/89)
检测项:红外光谱分析 检测样品:覆铜箔层压板 标准:GB/T 6040-2002红外光谱分析方法通则
检测项:红外光谱分析 检测样品:覆铜箔层压板 标准:JPCA-ES01 2003 无卤素材料的测试方法
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项:内部气体成份分析 检测样品:电磁继电器 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项:内部气体成份分析 检测样品:石英晶体元件 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项:断裂总伸长率 检测样品:金属材料 标准:ISO 5178:2011 《金属材料焊接的破坏性测试 对熔焊接点焊接金属的纵向张力的测试》
检测项:下屈服强度 检测样品:金属材料 标准:ISO 5178:2011 《金属材料焊接的破坏性测试 对熔焊接点焊接金属的纵向张力的测试》
检测项:规定非比例延伸强度 检测样品:金属材料 标准:ISO 5178:2011 《金属材料焊接的破坏性测试 对熔焊接点焊接金属的纵向张力的测试》
机构所在地:江苏省江阴市 更多相关信息>>
检测项:声学扫描显微镜检查 检测样品:数控机床 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 项目1103/2.4
检测项:总阻值 检测样品:电位器 标准:线绕式预调电位器 GJB 917-1990 非线绕预调电位器总规范 GJB 918-1990
检测项:高温寿命(非工作) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:外部目检 检测样品:塑封半导体集成电路 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2006
检测项:X射线检查 检测样品:密封半导体集成电路 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2006
检测项:外部目检 检测样品:密封半导体集成电路 标准:军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2006
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:焊接接头力学性能 检测样品:金属和金属制品 标准:金属材料焊缝破坏性试验-冲击试验-试样位置、缺口方向和检查方法 ISO 9016:2001
检测项:焊接接头力学性能 检测样品:金属和金属制品 标准:金属材料焊缝破坏性试验-横向拉伸试验 ISO 4136:2001
检测项:焊接接头力学性能 检测样品:金属和金属制品 标准:金属材料焊缝破坏性试验-熔化焊接头焊缝金属纵向拉伸试验 ISO 5178:2001
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:元素分析 检测样品:电子元器件 标准:GJB4027A-2006《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
检测项:外部检查 检测样品:电子元器件 标准:GJB4027A-2006《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
检测项:扫描电子显微镜(SEM)检查 检测样品:电子元器件 标准:GJB4027A-2006《军用电子元器件破坏性物理分析方法》