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直形基台产品描述:基台是带角度或不带角度的带孔或带螺纹的柱状或其他形状固体。一般采用钛、钛合金、氧化锆、金合金等材料制成。安装在锚固于骨内的种植体平台上。其他附件包括中央螺钉、颌面螺钉等。 直形基台预期用途:牙缺失后颌骨内植入的牙种植体的配套用部件,用于链接、支持和固位修复体或种植体上部结构。附件用于辅助基台与种植体的固位和种植体植入术后上部结构安装之前对种植体的保护。 ...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年06月05日
检测项:集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:截止态漏极漏电流ID 检测样品:V/F、F/V转换器 标准:《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
检测项:截止态源极漏电流IS 检测样品:V/F、F/V转换器 标准:《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
检测项:集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:门极电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项:栅-源阈值电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:门极触发电压 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ
检测项:正向电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条
检测项:工作电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:镍 检测样品:多金属矿石 标准:DZG 1993-01-6-5 《岩石矿物分析规程》 丁二酮肟-磺基水杨酸-氢氧化铵-氯化铵底液极谱法测定镍量
检测项:铜 检测样品:铜矿石 标准:DZG 1993-01-2-5 多金属矿分析规程 氢氧化铵-氯化铵底液极谱法测定铜量
检测项:铜 检测样品:铅矿石 标准:DZG 1993-01-3-3 《岩石矿物分析规程》 盐酸-氯化钠底液极谱法测定铅量
机构所在地:青海省西宁市 更多相关信息>>
检测项:冲击电压 检测样品:直流输电控制保护系统 标准:高压直流输电系统控制与保护设备 第3部分:直流系统极控设备 GB/T 22390.3-2008
检测项:电源影响 检测样品:直流输电控制保护系统 标准:高压直流输电系统控制与保护设备 第3部分:直流系统极控设备 GB/T 22390.3-2008
检测项:共摸输入电压范围VIC 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:基极--发射极饱和电压VBES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>