| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
集电极截止电流 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
栅极漏电流 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
最大反偏安全工作区 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅型场效应管 |
栅-源短路时的漏极电流IDSS |
GB/T4586-1994/IV2.2 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应管 |
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| 绝缘栅型场效应管 |
栅-源短路时的栅极泄露电流IGSS |
GB/T4586-1994/IV2.2 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应管 |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
栅极电荷 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
集电极-发射极击穿电压 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:2007附录A 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
结－壳热阻和结－壳瞬态热阻抗 |
只测：加热电流≤2000A 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
集电极－发射极电压 |
GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.2.1 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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